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樓主 |
發表於 2005-7-5 18:11:10
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第三節 MAX Memory
1.認識您的DRAM參數
CAS# latency (Tcl)
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。
RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然後RAM收到列的位置後，經過一段時間，才會再傳送行(Column)的位址，而這一段時間就是RAS Delay
Min RAS# active time(Tras) 又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲)
一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。
Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。
2.什麼是 1、2T CMD(1T/2T Command Rate)
（Command Rate、MA 1T/2T Select）當記憶體要求傳送、讀取資料區間"定址記憶體模組和記憶體晶片的時脈循環"所需時間。
-1T擁有較少的延遲，較佳的系統記憶體效能。卻較差的相容性。適合您的DIMM未插滿時。
-2T擁有較久的延遲、差很多的系統記憶體較能。較高的相容性、穩定性。適合您的DIMM已全部插滿時。
這邊我們建議設定為1T。
K8/C0 僅支援1T、D0支援2T。在CPU-Z可知。
3.什麼是SPD(Serial Presence Detect) 記憶體參數串列偵測
-一般記憶體模組上，會多一顆小晶片，這就是具備SPD能力的記憶體，SPD是一個8針的256位元組的"可讀寫可編程唯讀記憶體晶片"。
-一般位在記憶體條正面的右側，記錄著記憶體的速度、容量、電壓與行、列位址帶寬等參數資訊。
-當開機時BIOS將自動讀取SPD中的資訊，節省開機Bios偵測的時間。
-若是需要手動調整記憶體參數則必須將Bios 中By SPD 設為手動。
4.DRAM參數設定
-您希望追求記憶體最大頻寬者，我建議CL2.5-4-3-7 1T /2.6~2.9v。
理想值=CL2.5-3-3-6 1T/2.6~2.8v
-您希望追求記憶體最快傳輸效能者，我建議CL2-2-2-7 1T /2.6~2.9v。
理想值=CL2-2-2-5 1T/2.6~2.7v
-DDR500以上，建議可設CL=3。
-絕大部分記憶體可承受電壓為2.6~2.9v。
-設定不當"過低"DRAM參數將導致系統不開機。
-當您的記憶體非終生保固者，我們不建議您將DRAM電壓設定超過2.7v以上。
-當您的DDR為400以上，請酌量放大記憶體參數。
-當然，我們這邊講的是超頻...所以請選擇好一點的DRAM..
Ex.Hynix BT-D43、Hynix D5、SAMSUNG TCCD、BH-5。
5.超頻HTT/FSB*與DRAM之關係
當您把HTT/FSB* 提升到超過200MHz的速度時，會造成一個問題，因為標準DDR400其
時脈為200MHz，提高HTT/FSB* 逾200MHz以上可能會導致起系統無法開機。
您可以利用三個方法解決
1.使用FSB：DRAM比率(記憶體除頻)。
2.超頻DRAM。
3.購買廠商的超頻模組DRAM。
Ex：
當您有一顆大雕 3000+ 0448週期，
她可以一飛沖天，傲視群"U"，HTT300Mhz，對她來說輕而易舉...
眼睛不眨一下就上了...
"可是您的DRAM卻只能跑DDR400~DDR500...... 怎麼辦??
選擇方案1(除頻)透過Bios設定：將DRAM時脈定頻/除頻。與HTT跑不相同的時脈。
選擇方案2(超頻)透過Bios設定：對記憶體加壓，放鬆參數。直接讓DRAM與HTT/FSB*跑同步。
選擇方案3(花錢)：請洽詢您的荷包，以解決目前的困境。
6.超頻DRAM方式
-首先讓您的DRAM與HTT/FSB*跑同步(AUTO)，慢慢提昇您的HTT(提升HTT將會同時提升您的記憶體時脈)
-直到接近您原本的HTT時脈最大安全值。
-請測試memtest86 http://www.memtest86.com
-當然..失敗為成功之母..在您測試 memtest86 test 之步驟 5~6 卻總是過不了時...
請下修HTT時脈(HTT * 0.95) 直到可以穩過測試 。此即是您的記憶體最佳時脈。
-有時候雖然能通過memtest86測試，但在OS中並無法通過Prime95測試。
7.除頻設定對照表 概略公式-"DRAM除頻時脈 = HTT時脈* 除頻比率"
除頻比率表(概略算法)
200 = HTT x 1 =200
183 = HTT x .90 = Mhz
166 = HTT x .83 = Mhz
150 = HTT x .75 = Mhz
133 = HTT x .66 = Mhz
100 = HTT x .50 = Mhz
Ex:您的大雕3000+確定可以穩跑HTT280..
可是您的DDR卻是聯強DDR400..(只能穩跑200Mhz/DDR400)
套用公式，請找出您目前最佳的記憶體定頻/除頻方案??
解:
(此算法為概略值)
280*0.75(定頻150方案)=210Mhz=DDR420..噢噢~~要小心嚕。
280*0.66(定頻133方案)=184Mhz=DDR369 嗯...有點浪費...
8.記憶體除頻時脈值與公式所算出的值不相當?
-事實上記憶體時脈除頻值，並不是直接由HTT/FSB所得出的，它取決於CPU倍頻與記憶體除頻係數。這導致有時候DRAM時脈並不總是等於您所選定的比率計算結果。
-假設今天我們將HTT提高至250。而HTT:RAM=200:166=1:0.83
我們的DRAM時脈應該是250*0.83=207.5Mhz。然而實際上DRAM 卻是接近205Mhz。
這表示除頻後的值，並不總是非常精確的，而僅是近似。
-除頻真正的值應該是透過CPU的記憶體控制器來計算，但因為計算很複雜，故主機板廠商取一個概略的定義100/133/166/200 來代表。
9.真正的DRAM除頻計算方式
"(HTT)x記憶體除頻係數=DRAM除頻後時脈"
(記憶體除頻係數=CPU倍頻/除頻比率。值取整數、無條件進位)
Ex:假設HTT250/CPU倍頻9/DRAM設定除頻166/
經過計算
記憶體除頻係數=倍頻/除頻比率
9/0.83(166/200)=10.84，值取整數11(無條件進位)
接著
250x(9/11(記憶體除頻係數))=250x0.8181=204.5454
很複雜嗎??
為求簡便您可以概略使用HTT*除頻比率來計算您的DRAM時脈。
10.對DRAM除頻後會有什麼影響?
-因為超頻而選擇將HTT/FSB*與DRAM時脈不同步，此解決方式並不理想。
-以一個比率運行HTT/FSB* 與DRAM導致HTT/FSB* 與DRAM之間的傳輸效能延遲。若DRAM與HTT/FSB* 運行在相同時脈則無此問題。
-故欲獲得系統之最大超頻效能，使用超頻DRAM方案可能才是較為理想的。
________________________________________接續未完 |
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狗仔卡
發表於 2005-7-5 18:05:45
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